運(yùn)動(dòng)控制具有明顯的時(shí)期特性，它是多種高新技術(shù)的綜合，用來將工業(yè)自動(dòng)化、辦公自動(dòng)化和家庭自動(dòng)化推向更高階段。目前的運(yùn)動(dòng)控制主要由變頻器（Variable-frequency Drive，VFD）、電動(dòng)機(jī)、控制器三局部組成。
1．VFD局部
VFD的中心是電力電子器件及控制方式。
1）電力電子器件電力電子器件就是在電路中起通斷作用并完成各種變流的器件，VFD就是這種變流的安裝，因而它是隨著逆變器件的開展而開展，逆變器件的好壞就要看它的通斷才能，接受通斷的電流和額定電壓；在通斷過程中損耗的大小如飽和壓降和開關(guān)損耗就決議了VFD的效率和體積大?。婚_關(guān)損耗與開關(guān)頻率有關(guān)；開關(guān)頻率與噪聲有關(guān)，而且與輸出電壓、電流波形有關(guān)。就是說電力電子器件要朝著電壓高、電流大、開關(guān)頻率高、導(dǎo)通壓降小的方向開展。晶閘管是半控器件，屬于第一代產(chǎn)品，但調(diào)制頻率低、控制復(fù)雜、效率低、容量大、電壓高、歷史長(zhǎng)久，不論是用作整流還是用作逆變，都是比擬成熟的。
全控器件GTO晶閘管和BJT，不論是組裝直流斬波器還是組裝VFD，GTO晶閘管在電力機(jī)車上的應(yīng)用具有壟斷性。這也是我國(guó)“八五”期間組織攻關(guān)的嚴(yán)重科研課題。但是將GTO晶閘管VFD用于其他中央，爭(zhēng)議較大，緣由是GTO晶閘管的關(guān)斷電流增益太小，過電流維護(hù)比擬艱難，調(diào)制頻率低。用BJT組裝的直流斬波器和PWMVFD非常盛行，但輸出電壓不超越460V，容量不超越400kW。BJT是電流驅(qū)動(dòng)，功耗大，調(diào)制頻率也不高，噪聲還大，不如MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、牢靠。但后者容量更小，輸出電壓也更低，在市場(chǎng)上有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品并不多。
在運(yùn)動(dòng)控制中，新一代的電力電子器件是IGBT和MCT：前者是MOS驅(qū)動(dòng)BJT，優(yōu)點(diǎn)是容量和電壓都超越了BJT，有取而代之的趨向；后者M(jìn)OS驅(qū)動(dòng)晶閘管，理論上具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。這兩種新型器件都有成熟的產(chǎn)品，IGBT已開展到第四代，而且目前國(guó)外正在將微電子的消費(fèi)工藝向電力電子轉(zhuǎn)移，于是產(chǎn)生了專用集成電路（SPIC）。把IGBT的驅(qū)動(dòng)電路和維護(hù)電路復(fù)合在一同的智能器件叫IPM，還有把開關(guān)電源復(fù)合在一同的IPM，這樣使VFD愈加牢靠，曾經(jīng)成為調(diào)速的主導(dǎo)產(chǎn)品，將取代直流調(diào)速，21世紀(jì)將是交流調(diào)速時(shí)期。
2）控制方法VFD采用不同的控制方法，具有不同的速度調(diào)節(jié)性能、特性和用途。控制方法大致分為開環(huán)和閉環(huán)控制。開環(huán)控制包括U/f(電壓和頻率)成正比控制方法；閉環(huán)包括轉(zhuǎn)差頻率控制和各種矢量控制。從發(fā)展歷史來看，也是從開環(huán)到閉環(huán)。通常的矢量控制可以與DC電機(jī)的電樞電流控制相媲美?，F(xiàn)在交流電機(jī)參數(shù)可以直接停止直接扭矩控制，方便準(zhǔn)確，控制精度高。
